FRAM芯片的使用注意事项

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什么是F-RAM?
引用百度百科上的介绍：
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. Q% x5 R! {' N0 J( }+ N1 ]. U简介
' h. {& Y$ U/ u3 zFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
7 h% o0 r- c9 J  u1 j, j
" Q. m6 }1 B" h0 s( J/ [, J2 z3 m+ @特点
5 Z/ ?. v2 R- {: M) n7 _FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
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9 p  a- x6 p5 Y  `F-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片，很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意，
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题：
' V. V4 u3 `4 D( Y
) y4 M6 m( ~# \  ?0 H: X$ B1.寿命
4 T% R# w0 j# \0 f# ]/ K" \; j5 l- f
由于铁电存储器的特性，导致读取数据时会破坏存储单元中的数据，所以FRAM芯片内置锁存器，读出数据时，数据先暂存在内部锁存器上，
之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的，而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别，EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制，而没有读取次数限制。
只是F-RAM访问寿命超强，约为10的10次方，也就是100亿次，如果电路设计合理，芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
F-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途，而不能替代随时连续读写的工作内存，比如S-ram。

; i) \% Q1 [* I$ ~  }+ a: L, R2.时序问题
9 z0 J" z, M2 Q" JF-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序，由于内部锁存器的存在，使得读写时序有区别于S-RAM芯片
图表：F-RAM和S-RAM操作时序区别
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F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作，不像S-RAM 芯片，/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
- m0 U+ V5 s$ u4 D. v+ M6 `此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作，所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).

0 L5 X$ [* X7 O( Z: y3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题
. C5 D. s' g5 \( o) |NV-ram芯片监控VDD的值，当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作，而F-RAM芯片没有此特性，只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时，应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
# m5 B: t* O& o7 A, r另外在CPU Reset期间或系统上电期间，为防止产生意外的/CE信号低电平，进而意外改写数据，应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。

以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项，当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别，这就得参考相应产品的数据表。

孙大师

铁电ram，早已经了解过，价格高，时序与ram不同，应该不能直接替换
9 p- W7 E$ i4 j' F' I

bestmmk

尽管这样，淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片， 而根据我的调查， 这些芯片从sop ， ssop，到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看，但是这是否可以说fram可以代替一般的sram（62256）了呢？

laojiaozhu

学习了，虽然看不懂呢 呵呵

18613611

孙大师 发表于 2016-6-6 06:30
: H) j* N% j: i铁电ram，早已经了解过，价格高，时序与ram不同，应该不能直接替换

你好能请教您个改电视机的问题吗，现在我的东芝彩电改rgb图像暗颜色不对怎么办谢谢

陈记大叔

完全看不懂，感谢分享。