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FRAM芯片的使用注意事项

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发表于 2016-6-5 23:40:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是F-RAM?0 S7 G# R) n9 K% I4 \! m. p
引用百度百科上的介绍:4 q1 H" @5 p1 `1 t, p7 J
! Y1 @  v: T" H# F3 G2 a
简介: V/ W! S/ q+ I0 _& Q
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。
2 D; s' d4 s, D$ }9 e, |$ ~# Y7 Z0 c, ~4 q9 A) c. u# c7 B  \8 ]4 j
特点
6 k, b3 `$ B, V, }' KFRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。, \% _4 i) m# V
----------------------------
; O. \7 `9 p6 C# f& N) z: ~" g7 m
& ~4 X1 R, N3 H+ P/ O# h3 ]$ h2 L' DF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,
# K  F+ u, \9 y+ o" R& m这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:
7 m$ g2 s! d7 B; I, L7 `& h' @
1.寿命
6 c* k: J8 M. T3 L- X
8 Q/ z7 s/ S0 i9 D由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,
& o, |/ n! s, ~之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。
0 d0 [4 h; x- Y! b* Q3 X# k只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
* H! p* [( r. {5 i1 ^3 C* i7 qF-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。
+ a7 e) u- D9 W9 _! i8 n, l/ T2 P; g/ y6 `0 B
2.时序问题
& G! q( _* L7 v, VF-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片
3 M6 V' E5 L/ V; }& l5 s: c图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别
. W/ o- O5 _. q% p7 j1 q6 l) d# C' L. `; o# Y" u: r3 [- g* u
4 b! {! E* o; D4 g
F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
5 R  X5 ?; u( ^此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).5 b: }& M4 W8 {4 G& R

6 S3 T! E+ j2 r3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题& u: A5 R  J& a7 K4 \9 u* A% G* K- S
NV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
6 {+ G8 {# \$ q! i: }0 z另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。
+ w$ Q! t+ q# ?+ y& F* ^: c3 h% `  v5 z& M# b7 _; a( p: @/ B& K
以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。

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发表于 2016-6-6 06:30:29 | 显示全部楼层
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换
; O- d# [5 I+ r0 r
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发表于 2017-2-5 09:44:11 | 显示全部楼层
尽管这样,淘宝上还是出现了一些用FRAM改造的卡带。 而且都声称存档正常。 这些卡带普遍使用了ramtron公司的存储芯片, 而根据我的调查, 这些芯片从sop , ssop,到dip封装都有。不仅有并行的还有串行的。具体的数据表我还没看,但是这是否可以说fram可以代替一般的sram(62256)了呢?
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发表于 2017-7-14 15:47:12 | 显示全部楼层
学习了,虽然看不懂呢 呵呵
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发表于 2020-4-9 20:10:54 来自手机 | 显示全部楼层
孙大师 发表于 2016-6-6 06:300 D$ p2 K+ d1 }# b3 g4 j, r7 Q# f
铁电ram,早已经了解过,价格高,时序与ram不同,应该不能直接替换

9 S# v7 q! e5 O( T你好能请教您个改电视机的问题吗,现在我的东芝彩电改rgb图像暗颜色不对怎么办谢谢
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发表于 2022-9-15 10:01:10 | 显示全部楼层
完全看不懂,感谢分享。
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