开工做FC的烧录卡，希望前辈们给些资料。

pllyq52

买到了两张原装的游戏卡，一张是MMC3B的，一张是MMC1A的，还找出了一堆vcd的解码板，打算做两张烧录卡，希望得到各位前辈的支持。
2 z" u! E8 p: Q

雷精灵2046

正版卡改烧录卡，首先要有烧录器。
& ^4 a9 ~8 h# ], A; V
看到你的VCD解码板上有Winbond的W27C010，这是1Mbit的EPROM芯片，可以用来烧录，但需要专门的烧录器。如果你打算使用这些EPROM芯片的话，去X宝买个EPROM烧录器，价格约30~150左右。
不过最好的方案还是使用Flash芯片+Kazzo烧录器。拆机Flash芯片非常便宜，X宝一片约2元。Kazzo烧录器完全开源，可以自己制作，也可以X宝买现成的，价格约75元。自己做的话不到40元。
, V0 I9 V4 H5 @, d
- G% U$ J# ~% {3 u3 ^EPROM烧录需要在VPP引脚加+12V高电压才能烧录。所以如果使用了EPROM的话，想换游戏就得把芯片拆下来，放到烧录器上烧完再放到卡带上面去。你可以给卡带上装芯片插座，方便取下。
Flash芯片烧录不需要高电压，给出往特定的地址写特定的命令就能烧录。所以无需拆芯片，可以直接把芯片焊死在卡带板子上。而Kazzo烧录器也正是为了实现方便烧录而开发出来的。

我个人建议你选择使用Flash+Kazzo。

雷精灵2046

买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
' U) o% k# x- E4 v8 oKazzo对这个芯片的支持最好。
& z$ |  n) w/ O其他芯片虽然也不是不能用，但是你可能会面临所谓“A10/A14”高位地址的问题，导致那些芯片未必能够用在你的烧录卡上，徒增浪费。所以还是使用被广大群众证实过好用的芯片为上策。
X宝上这个拆机芯片价格约2元/片，全新芯片约7~15元。一般来说没必要买全新芯片，因为这种Flash芯片写入寿命非常长，最少也有上万次甚至上十万次的寿命。而拆机芯片基本上不可能把这些寿命都用尽。所以使用拆机芯片是比较经济且靠谱的。
4 Z+ p4 E9 ?0 |. p0 X4 s
, e7 s0 d) o0 W9 X% n" e2 B买来flash芯片和kazzo烧录器之后我再继续教你怎么改成烧录卡。

  Q% q& Z* _# m4 V  `! t3 j

6 e' R, ^* x1 S6 I( ~
' a0 ^8 C0 I& Q5 {/ c- p

9 x3 @) \  {) \$ S  P题外话：从对游戏的兼容性上来说，你这两盘卡带并不好。那个MMC1的卡带，板子上写着SGROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+8KByte的CHR RAM。没有WRAM，没有后备电池，很多mapper1的游戏都不能玩。MMC3的卡带，TLROM，说明它是128K/256KByte的PRG ROM+128K/256KByte的CHR ROM。同样没有WRAM和后备电池，能玩大部分mapper4的游戏，但还有很多mapper4的游戏需要CHR RAM或WRAM的，也不能玩。
+ b  o- C' W* \; W( s" v, @* ^当然，只要你愿意，而且胆大心细手艺高，完全也可以把缺少的元件加上，再配合一些逻辑电路，甚至可以做出几乎全兼容那个mapper的卡带。我自己手里的几盘卡带几乎都是“全兼容”。

pllyq52

雷精灵2046 发表于 2018-12-13 10:13
买Flash芯片的话，最好选择AM29F040B这个Flash芯片。它是4Mbit的flash，DIP封装，32脚。
+ Y* G5 c! p7 l% }9 `' dKazzo对这个芯片的 ...

$ }/ \0 z5 [! Z9 M9 l1 s
3 ]7 y) O$ r, B+ T0 ^2 z' L5 u谢谢指点，在某宝上搜了一下“kazzo烧录器”，什么也没现，怎么没见有卖呢？所以就把MMC1卡的PRG拆了下来，发现情况比想象要糟糕，板上的A17地址线是接在Vcc上的，那芯片在编程器（普通编程器不是kazzo），发现上64K和下64K的数据果然是一样的，看来只能玩的游戏就更少了，如何补齐逻辑电路还得麻烦您指点一下。

雷精灵2046

原来你有基础，手艺也不错，那就太好了，省了我很多事。

6 D" U, l" D  P) D2 W. X首先说一下关于kazzo烧录器。你可以在闲鱼上搜索“kazzo”，有一家保定的，75块钱。虽然是闲鱼，但实际上是店主自制的全新kazzo，非量产，并非二手货。可以放心购买。
然后解释一下你遇到的现象。你那个MMC1的卡带上的PRG ROM芯片丝印是HFC-RT-0，板子是HVC-SGROM-02，查数据库可以断定这是《サラダの国のトマト姫》（沙拉国的土豆公主）。
* q8 E$ b$ q! s注意，事实上这个游戏的PRG ROM是256K，而你只读了128K的内容，而且读出来的数据，前后64K都是相同的。造成这个问题的原因是，Mask ROM的引脚排列，并不遵守JEDEC标准。换句话说，这个Mask ROM并不能直接放到烧录器插座上读数据，而是需要飞线。

1.     PRG Mask ROM                          EPROM
   
2.        ---_---                           ---_---
   4 }5 ?3 ~9 l4 x  ]# W4 @) H
3. A17 - |01   32| - +5V             VPP - |01   32| - +5V
   
4. /CE - |02   31| - +5V             A16 - |02   31| - PGM
   
5. A15 - |03   30| - +5V             A15 - |03   30| - NC
   % b8 \- J! Z7 ~7 g: d
6. A12 - |04   29| - A14             A12 - |04   29| - A14
   , j4 ^$ r% y$ H- d
7. A7  - |05   28| - A13             A7  - |05   28| - A13
   
8. A6  - |06   27| - A8              A6  - |06   27| - A8
   # C  v+ y+ l, s0 `
9. A5  - |07   26| - A9              A5  - |07   26| - A9
   
10. A4  - |08   25| - A11             A4  - |08   25| - A11
    
11. A3  - |09   24| - A16             A3  - |09   24| - /OE
    
12. A2  - |10   23| - A10             A2  - |10   23| - A10
    
13. A1  - |11   22| - /CE             A1  - |11   22| - /CE
    & t: S# K7 L" U; {- f" \8 {
14. A0  - |12   21| - D7              A0  - |12   21| - D7
    . a3 K: ~+ {7 x# P
15. D0  - |13   20| - D6              D0  - |13   20| - D6
    9 L0 g, @/ R4 R# R' a" c
16. D1  - |14   19| - D5              D1  - |14   19| - D5
    $ T- C" `9 Q$ k! P
17. D2  - |15   18| - D4              D2  - |15   18| - D4
    " O8 B7 K6 G. m% ]- Q( x9 X
18. GND - |16   17| - D3              GND - |16   17| - D3
    
19.        -------                           -------

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这是32脚的PRG Mask ROM和32脚的EPROM引脚对比图。相比之下，Mask ROM没有/OE引脚，而多出一个A17引脚，所以32脚的PRG Mask ROM容量为256K，而EPROM只有128K。
这就解释了你读Mask ROM的结果。对于通用编程器来说，它不知道你插到锁紧座上的是Mask ROM，它只把这个芯片当成是符合JEDEC标准的EPROM来对待。于是在读的时候，编程器给1脚加了高电平，24脚低电平，30脚电平未知，暂且假设是高电平，31脚低电平。
; p2 |/ {% j/ V- o3 ~- e可见，Mask ROM的A16和A17都被定死了电平，所以你只能读出芯片容量（256K）的四分之一的数据，也就是64K。
# }+ h; f5 {2 C' a0 G+ ]% E$ K而当编程器把芯片当成EPROM读到高64K的时候，2脚高电平。但对于Mask ROM来说，2脚等效于22脚，而22脚是片选，始终是低电平。对于常见的单片机来说，低电平的灌电流能力比高电平的拉电流能力强，于是2脚被强制拉低，于是和读低64K的情况一样。所以读出的高64K和低64K数据相同。

雷精灵2046

如果你能理解上面我分析的原因，那么你就肯定知道该怎么办了。
+ O3 @+ c* M2 k5 r! c- B" G
既然你有通用编程器，那么不买kazzo也无妨。就是换游戏的时候有点费劲，得在板子上装插座，方便拆芯片。此外，你还得飞线。
你得买256K的EPROM，在编程器上烧好ROM，然后把1、2、24、30、31脚掰起来，不能插到板子的插座里面，然后芯片的1脚接+5V，2脚接板子的24孔洞，24脚接地，30脚接板子的1孔洞，31脚接地。
8 V6 ^; v  j( L, [+ q7 e1 D这样引脚就对正了。卡带就能正常运行了。

如果你买了kazzo，那么你就要买flash芯片。flash芯片可以在线编程，不需要拆下来。换游戏很方便。如果你愿意使用这种方法的话，那么我再教你如何给flash芯片飞线。

pllyq52

    谢谢指点，马上开工，首先当然是要找一片256K的EPROM，很遗憾，没找到，
  j1 N1 o3 l( w, Y
128的倒有不少。还好在一块老电脑主板上找到一片AT49F002，百度一下，这应

6 `# ~) Y9 [" J' s6 H" a该是一片256K的fiash，看看引脚定义和EPROM的也是相差无几，姑且试试，往
% w' w$ v( D8 S& G1 z8 b
# ?, |6 W, }- n( e6 H7 k里面随便烧了一个mapper1的游戏，1脚复位（低电平有效）就接在Vcc吧（后来
- K: {+ w8 D% X6 X& |# u$ k
发现接在GND也是可以的），2脚A16接在24孔，24脚接在GND，30脚A17接在1孔

，31脚应该是写入允许（低电平有效）就接在Vcc吧。上机一试，成功了，哈哈
4 `+ O* I, S0 V
4 e+ F) |2 e; f* u2 H, Z，好像烧进去的是一个日文的RPG的游戏。
$ @- s5 r, l; v2 H: z1 C, M2 h
3 {$ s. p! i' n6 X3 {    小时候玩过《重装机兵》，感觉这种游戏很强大（因为游戏里面还有小游
  [5 B- t$ @+ g$ m
+ n% f+ W1 `: p" E+ n% d戏）没想到却只有256K，那个卡带里面是有电池的，但是现在电池应该装在那
' b8 q7 e( S) }. ~& U; F: T) u  J
  H' Y6 }! b. e+ @呢？
6 T4 ]1 i1 b5 [( r

3 s1 a6 `) q, G. x: Y在试换个游戏，没想到，开机一看却只有一行日文，然后按手柄也没任何反应。怪，这日文是啥意思，谁看得懂？

雷精灵2046

这句话的意思就是后备存档芯片很奇怪。
7 G$ v6 a8 q+ v3 u9 j很显然，你找了一个带存档功能的游戏烧进芯片里面了。但是板子上并没有WRAM和后备存档电池，所以游戏逻辑在检测存档的时候得到了错误的结果，于是显示出错误警告。
  }; I! o( X6 U如果你想玩这个游戏，那么就需要给板子上增加WRAM和后备电池。

雷精灵2046

由于你的板子是HVC-SGROM，配置是128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM，那么加上WRAM之后就变成了128K/256K PRG ROM + 8K CHR RAM + 8K WRAM + 后备电池这样的配置，也就是HVC-SNROM。
那么改造方案就很明确了。

首先准备如下元件：
8KByte的SRAM一片。推荐型号HM6264，或者KM6264，或者UMC6264，反正只要是6264就行。
普通开关二极管两个。推荐型号1N4148。
9 {5 v# S: w! k7 C普通碳膜或金属膜电阻两个。阻值10K~100K均可。
. L' \- U+ g! \2 E& [% c5 s普通电解电容一个。容量1uF以上即可。耐压超过10V即可。
3V电池一个。建议使用2032+纽扣电池座，或者使用微型3.7V锂电池。

9 |6 z) \' H/ _- R  R$ `4 f改造方法如下：
首先把SRAM的数据总线和地址总线，也就是D0~D7和A0~A12全部直接连接到PRG ROM的数据总线和地址总线上。一一对应。
- F, W: h# o/ {) M5 Y' H9 qSRAM的GND连接到PRG ROM的GND。
& c& ^8 ]% f5 U4 ?6 p4 z/ vSRAM的/WE连接到MMC1芯片的17脚。
1 d" Y0 G, A' U5 U/ k, ~7 NSRAM的/OE接GND。
SRAM的/CS1连接到MMC1芯片的11脚。
SRAM的CS2连接到MMC1芯片的6脚。
SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接板子上的VCC。
同时，SRAM的VCC接二极管负极，二极管正极接电阻，电阻接电池正极。
6 X+ N. d' g4 z- g4 r# c电池负极接GND。
电解电容正负极跨接SRAM的VCC和GND。
* Z: Z3 r, ^+ i$ P最后一个电阻跨接SRAM的VCC和/CS1。

! D+ z) m/ ~, |5 i/ t" g; u- e这是电路图：
2 y6 Q2 ^* c3 j

1.                                           C            D1    R1
   " v5 H; b2 m( r3 L; N  F: U
2.               6264               GND ----||--------+--|<|--[===]--+- 电池 -+- GND
   
3.            .----_----.                             |
   - G$ c$ n' @6 a8 e
4.       NC - |01     28| - +5V ----------------------+--|<|---------- +5V
   
5.      A12 - |02     27| - /WE --- MMC1 17脚         |   D2
   8 \# E! C7 b  P5 o& ~
6.       A7 - |03     26| - CS2 --- MMC1 6脚          |
   
7.       A6 - |04     25| - A8                        -
   ( }3 K, z( G3 q1 z8 L
8.       A5 - |05     24| - A9                       | | R2
   - C% {+ ]  W; |% K
9.       A4 - |06     23| - A11                      | |
   % p2 W8 A3 f2 M7 H0 x/ q0 S) ]
10.       A3 - |07     22| - /OE -- GND                |
    
11.       A2 - |08     21| - A10                       |
    $ j# @# h# K& s* z+ B3 r# d3 x  c3 H# ^
12.       A1 - |09     20| - /CS1 ---------------------+------- MMC1 11脚
    
13.       A0 - |10     19| - D7      
    
14.       D0 - |11     18| - D6      
    ! b8 j$ ?* X( `* A& U
15.       D1 - |12     17| - D5      
    # S% ?4 V8 a5 k: Q  X' d+ z$ x* E+ f' b
16.       D2 - |13     16| - D4      
    
17.      GND - |14     15| - D3      
    
18.            '---------'

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