什么是F-RAM?
9 e* R: X& d E) f4 _" x引用百度百科上的介绍：
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简介
6 D3 H, H4 ~9 V5 B" [) s( |FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。$ g: b) L. F+ \* t" f! X
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特点
* ]# ^1 v2 N) g$ p9 ]+ P% CFRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
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F-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片，很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意，! q% [8 Q+ L$ Z& [% H
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题：
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" h- ?+ `* h* S5 e1.寿命! |' S8 c) E1 O1 h# T- w
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由于铁电存储器的特性，导致读取数据时会破坏存储单元中的数据，所以FRAM芯片内置锁存器，读出数据时，数据先暂存在内部锁存器上，
I* i( O. q( B5 x* ]之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的，而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别，EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制，而没有读取次数限制。( m) S* s- L4 z, V. E, E2 S
只是F-RAM访问寿命超强，约为10的10次方，也就是100亿次，如果电路设计合理，芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
. _: v( Z6 [% N- sF-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途，而不能替代随时连续读写的工作内存，比如S-ram。
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8 _3 a8 D$ f" E, `; M2.时序问题6 R( _1 h3 B0 `
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序，由于内部锁存器的存在，使得读写时序有区别于S-RAM芯片, j6 g# U7 O L* z* r6 A
图表：F-RAM和S-RAM操作时序区别/ M" F1 G7 F, w. K) Y! G# G
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F-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作，不像S-RAM 芯片，/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
f' e. q. i$ f) _" ]! [/ p此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作，所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).
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4 s) J. |$ M6 O* b3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题/ o5 m. x/ }, K! d3 H
NV-ram芯片监控VDD的值，当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作，而F-RAM芯片没有此特性，只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时，应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。7 ]; L7 U" s: ^' V- h- v
另外在CPU Reset期间或系统上电期间，为防止产生意外的/CE信号低电平，进而意外改写数据，应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。( Y. e) K- c" L1 @1 |
8 c ]* m% y" T5 s% z6 {6 [$ y以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项，当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别，这就得参考相应产品的数据表。 |
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发表于 2016-6-5 23:40:43
发表于 2016-6-6 06:30:29