什么是F-RAM?
$ K: d, E# M! X9 | o8 I# ?引用百度百科上的介绍: `3 \" l5 ~6 O) p' j( j# E5 q! q# @1 A
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简介
9 w" h U& \/ R8 Y1 v& DFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。" L3 h) B' `: d- X# J2 y$ z
% Z) n* t& V |特点
3 r- h' ^$ W# e2 QFRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。4 V8 M x0 {0 M( u5 _ x! G
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: R$ p3 e2 o; h" }( B0 H9 [" e0 HF-RAM给人的印象就是一种近乎无限写入寿命的高速EEPROM/flash芯片,很像S-RAM的特点。但实际使用中却有很多问题不得不注意,) x/ Z9 q4 F7 K( \& D
这些问题导致了无法简单替换电池供电的S-RAM。下面就简单说一下这些问题:: Q0 I, ?5 u$ R
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1.寿命* D3 O; ]5 _5 f1 k. Q0 J
0 [3 l$ h- j3 o4 {由于铁电存储器的特性,导致读取数据时会破坏存储单元中的数据,所以FRAM芯片内置锁存器,读出数据时,数据先暂存在内部锁存器上,
7 R$ J- t9 z# n% d( v1 {4 u1 H# ^之后再写回存储单元。所以Fram芯片的寿命不是以写入次数计算的,而是访问次数。这跟EEPROM和Flash有根本上的区别,EEPROM/flash只有写入次数和数据最大保存时间的限制,而没有读取次数限制。
. X6 v2 h( P- K1 c3 f0 y只是F-RAM访问寿命超强,约为10的10次方,也就是100亿次,如果电路设计合理,芯片的寿命将远远超过产品整机本身的技术寿命周期。
$ ]8 ^" E/ W" @, p# Q$ |+ K5 uF-RAM的这个特性使得其应用范围仍然仅限存储用途,而不能替代随时连续读写的工作内存,比如S-ram。
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# p, \ M8 S% a0 {5 v4 W, R2.时序问题: P+ J# K% j# \4 e% z6 T
F-ram不能简单替代S-ram的另一重要特性是其操作时序,由于内部锁存器的存在,使得读写时序有区别于S-RAM芯片$ B+ C- T% M' r8 H& \; O& D
图表:F-RAM和S-RAM操作时序区别) O* n, n9 J) }, P: }
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8 I5 j- p" g+ n0 y* F" d- N1 S; LF-RAM芯片的/CE信号的下降沿触发地址信息锁存到内部锁存器动作,不像S-RAM 芯片,/CE信号将保持低电平直到读写周期结束。
$ m3 x2 @) F! ~! H# O+ w$ W此外R-RAM芯片的/CE信号的下降沿还将触发芯片工作所需预充电动作,所以不可以将/CE信号直接连接到GND(像S-RAM那样).
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, h1 O% m' F7 p0 C/ E1 P8 k3 D3.替换电池备份NV-RAM芯片时需要注意的问题2 c! v) N, |& j* K; J! c$ g
NV-ram芯片监控VDD的值,当VDD电压低于某一值时屏蔽写入操作,而F-RAM芯片没有此特性,只要VDD高于最低工作电压即可写入数据。所以设计系统时,应避免CPU在VDD电压过低时访问存储器。
+ y2 e( y* w# l& g0 M. v另外在CPU Reset期间或系统上电期间,为防止产生意外的/CE信号低电平,进而意外改写数据,应该在F-RAM的/CE信号线加一个上拉电阻。
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0 m3 g6 \# \( x4 q2 m以上就是F-RAM芯片替换其它存储器时的注意事项,当然各厂家的芯片性能方面还有一些区别,这就得参考相应产品的数据表。 |